I ricercatori dell'EPFL di Losanna, in Svizzera, hanno sviluppato un memristor che utilizza i cambiamenti nelle concentrazioni di ioni e le deformazioni meccaniche per immagazzinare informazioni.
Un documento tecnico intitolato “Ferroelectric Tunnel Junction Memristors for In-Memory Computing Accelerators” è stato pubblicato dai ricercatori dell’Università di Lund.
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04 gennaio 2024
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Un nuovo documento tecnico intitolato "Commutazione resistiva e meccanismi di conduzione di corrente nei memristori a soglia di nitruro di boro esagonale con elettrodi di nichel" è stato pubblicato dai ricercatori...
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Memristori multimodali I ricercatori dell'ETH di Zurigo, dell'Università di Zurigo e dell'Empa hanno costruito un nuovo memristore che può funzionare in più modalità e potrebbe potenzialmente...
