News: Microelectronics
14 marzo 2024
Attraverso la sua controllata Infineon Technologies Austria AG, Infineon Technologies AG di Monaco di Baviera, Germania, ha intentato una causa presso il tribunale distrettuale del distretto settentrionale della California contro l'azienda di soluzioni energetiche Innoscience (Zhuhai) con nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si). Technology Co Ltd di Suzhou, Cina, e Innoscience America Inc e affiliate. Infineon chiede un'ingiunzione permanente per violazione di un brevetto statunitense relativo alla tecnologia del nitruro di gallio (GaN) di proprietà di Infineon. Le rivendicazioni del brevetto coprono gli aspetti fondamentali dei semiconduttori di potenza GaN e comprendono innovazioni che garantiscono l'affidabilità e le prestazioni dei dispositivi GaN proprietari di Infineon.
Infineon sostiene che Innoscience viola il brevetto producendo, utilizzando, vendendo, offrendo di vendere e/o importando negli Stati Uniti vari prodotti, inclusi transistor GaN per numerose applicazioni, nel settore automobilistico, data center, solare, azionamenti di motori, elettronica di consumo e correlati prodotti utilizzati nelle applicazioni automobilistiche, industriali e commerciali.
"La produzione di transistor di potenza al nitruro di gallio richiede progetti e processi di semiconduttori completamente nuovi", afferma Adam White, presidente della divisione Power & Sensor Systems di Infineon. "Proteggiamo vigorosamente la nostra proprietà intellettuale e quindi agiamo nell'interesse di tutti i clienti e utenti finali", aggiunge. Infineon afferma di investire da decenni in ricerca e sviluppo, sviluppo di prodotti e competenze produttive relative alla tecnologia GaN e che continua a difendere la propria proprietà intellettuale e a proteggere i propri investimenti.
Il 24 ottobre 2023, Infineon ha annunciato la conclusione dell'acquisizione di GaN Systems Inc di Ottawa, Ontario, Canada (uno sviluppatore fabless di semiconduttori di commutazione di potenza basati su nitruro di gallio per applicazioni di conversione e controllo di potenza), espandendo la sua posizione nei semiconduttori di potenza. Il portafoglio di brevetti GaN di Infineon comprende circa 350 famiglie di brevetti. Gli analisti di mercato prevedono che i ricavi GaN per le applicazioni energetiche aumenteranno a un tasso di crescita annuale composto (CAGR) del 49% fino a circa 2 miliardi di dollari entro il 2028 (secondo "Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023" della società di ricerche di mercato Yole) .
Infineon completa l'acquisizione di GaN Systems
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- Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/infineon-140324.shtml
