रूस, चिली, ब्राजील, स्पेन और यूके के भौतिकविदों ने अध्ययन किया है कि 3डी नैनोवायरों में चुंबकीय गुण कैसे बदलते हैं, जो उनके क्रॉस-सेक्शन के आकार के आधार पर विभिन्न चुंबकीय अनुप्रयोगों के लिए सामग्री का वादा करते हैं। विशेष रूप से, उन्होंने वॉकर ब्रेकडाउन घटना की अधिक गहराई से जांच की, जिसकी समझ पर भविष्य के इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों के कार्यान्वयन की सफलता निर्भर करती है। शोध परिणाम सामने आता है वैज्ञानिक रिपोर्ट.

त्रि-आयामी नैनोवायर की क्रॉस-अनुभागीय ज्यामिति डोमेन दीवार की गतिशीलता को प्रभावित करती है और इसलिए उनके नियंत्रण के लिए महत्वपूर्ण है। बदले में, नए भौतिक सिद्धांतों पर काम करने वाले भविष्य के इलेक्ट्रॉनिक्स और कंप्यूटिंग उपकरणों को साकार करने के लिए विभिन्न बाहरी परिस्थितियों में डीडब्ल्यू गतिशीलता का प्रबंधन आवश्यक है। ऐसे उपकरण तेज़, अधिक विश्वसनीय, छोटे और अधिक ऊर्जा-कुशल होंगे। इसका एक उदाहरण चुंबकीय मेमोरी, चुंबकीय संकेतों के जनरेटर, चुंबकीय तर्क उपकरण हैं।

चुंबकीय नैनोवायरों में डोमेन दीवार की गतिशीलता वॉकर ब्रेकडाउन घटना द्वारा नियंत्रित होती है। यह बाहरी चुंबकीय क्षेत्र के परिमाण पर डोमेन दीवारों के वेग की रैखिक निर्भरता का नुकसान है जब क्षेत्र वॉकर क्षेत्र के रूप में ज्ञात महत्वपूर्ण मान से अधिक हो जाता है।

“हम यह पता लगाने में कामयाब रहे कि बहुभुज क्रॉस-सेक्शन वाले नैनोवायर में डीडब्ल्यू का दोलन व्यवहार नैनोवायर के चारों ओर घूमने के दौरान डीडब्ल्यू आकार के विरूपण के कारण होने वाले ऊर्जा परिवर्तनों से आता है। इस प्रकार, वॉकर ब्रेकडाउन घटना की गहरी समझ प्रदान की जाती है, ”शोध प्रतिभागी यूरी इवानोव कहते हैं, जो फार ईस्टर्न फेडरल यूनिवर्सिटी स्कूल ऑफ नेचुरल साइंसेज के कंप्यूटर सिस्टम विभाग में एक विशेषज्ञ हैं। “हमने 3डी नैनोस्ट्रक्चर का अध्ययन किया है जिसमें डोमेन दीवारें न केवल नैनोवायर के साथ बल्कि उसके चारों ओर भी घूम सकती हैं। इस दोहरे दोलन को एक आधार के रूप में माना जा सकता है, उदाहरण के लिए, नई पीढ़ी के स्मार्टफोन के लिए रेडियोफ्रीक्वेंसी विद्युत चुम्बकीय विकिरण (नैनो-ऑसिलेटर) के स्रोतों को डिजाइन करते समय।

3डी चुंबकीय नैनोवायर का उत्पादन अनुसंधान का तेजी से बढ़ता हुआ क्षेत्र है। सामग्री संभावित चुंबकीय नैनोसंरचनाओं के बीच एक विशेष स्थान सुरक्षित करती है। नैनोवायरों की विभिन्न क्रॉस-अनुभागीय आकृतियाँ और वक्रताएँ उनके गतिशील और स्थिर चुंबकीय गुणों को निर्धारित करती हैं। हालाँकि, नैनो-वस्तुओं की त्रि-आयामी संरचना के कारण इन गुणों का अध्ययन करना बेहद कठिन है। एक अतिरिक्त जटिलता, वैज्ञानिक 3डी नैनोवायर के उत्पादन को बढ़ाने और मौजूदा इंजीनियरिंग समाधानों के साथ इसकी अनुकूलता में देखते हैं, उदाहरण के लिए, नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स में।

इसके बाद, वैज्ञानिक विभिन्न क्रॉस-सेक्शन और वक्रता के 3डी नैनोवायरों में गतिशील चुंबकीय गुणों में परिवर्तन की भविष्यवाणी करने के लिए एक सैद्धांतिक मॉडल के विकास की योजना बना रहे हैं।

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