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पूरी तरह से 2डी सामग्री का उपयोग करके निर्मित हेटेरोजंक्शन में बैंड-टू-बैंड टनलिंग और नकारात्मक विभेदक प्रतिरोध

दिनांक:

एक तकनीकी पेपर जिसका शीर्षक है "मल्टी-गेटेड डब्ल्यूएसई का विद्युत लक्षण वर्णन।"2 / राज्य मंत्री2 वैन डेर वाल्स हेटेरोजंक्शंस'' हेल्महोल्ट्ज़-ज़ेंट्रम ड्रेसडेन रोसेंडॉर्फ (HZDR), टीयू ड्रेसडेन, नेशनल इंस्टीट्यूट फॉर मैटेरियल्स साइंस (जापान) और NaMLab gGmbH के शोधकर्ताओं द्वारा प्रकाशित किया गया था।

सार

“वैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर में विभिन्न द्वि-आयामी (2 डी) सामग्रियों की लंबवत स्टैकिंग व्यक्तिगत सामग्रियों के गुणों के साथ-साथ उनके इंटरलेयर युग्मन का शोषण करती है, जिससे अद्वितीय विद्युत और ऑप्टिकल गुणों का प्रदर्शन होता है। यहां, हम इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के कार्यान्वयन के लिए पूरी तरह से अलग-अलग 2डी सामग्रियों से युक्त एक प्रणाली का अध्ययन और जांच करते हैं जो क्वांटम मैकेनिकल बैंड-टू-बैंड टनलिंग ट्रांसपोर्ट जैसे टनल डायोड और टनल फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर पर आधारित हैं। हमने डब्ल्यूएसई की अर्धचालक परतों के आधार पर वैन डेर वाल्स हेटेरोजंक्शन का निर्माण और वर्णन किया2 और एमओएस2 जंक्शन के परिवहन गुणों का विश्लेषण करने के लिए विभिन्न गेट कॉन्फ़िगरेशन को नियोजित करके। हमने पाया कि उपकरण ढांकता हुआ वातावरण हेक्सागोनल-बोरोनाइट्राइड की पतली परतों के साथ मोटी ऑक्साइड डाइलेक्ट्रिक्स को प्रतिस्थापित करके हेटेरोजंक्शन में सुरंग परिवहन प्राप्त करने के लिए महत्वपूर्ण है। हमारे हेटेरोजंक्शन डिवाइस के विभिन्न क्षेत्रों में कार्यान्वित अतिरिक्त शीर्ष द्वारों की सहायता से, यह देखा गया कि टनलिंग गुणों के साथ-साथ संपर्क इंटरफेस पर शोट्की बाधाओं को एक मध्यवर्ती संपर्क सामग्री के रूप में ग्राफीन की परतों का उपयोग करके कुशलतापूर्वक ट्यून किया जा सकता है।

तकनीकी खोजें कागज यहाँ. मार्च 2024 को प्रकाशित।

चावा, पी., कतील, वी., वतनबे, के. एट अल। मल्टी-गेटेड WSe2/MoS2 वैन डेर वाल्स हेटेरोजंक्शन का विद्युत लक्षण वर्णन। विज्ञान प्रतिनिधि 14, 5813 (2024)। https://doi.org/10.1038/s41598-024-56455-x।

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