Actualités : Microelectronics

14 Mars 2024

Worksport Ltd de West Seneca, NY, États-Unis (un fabricant d'accessoires automobiles développant des solutions d'énergie propre) a annoncé une décision stratégique visant à intégrer le nitrure de gallium (GaN) dans ses prochaines offres de produits.

Motivé par le potentiel du GaN à fournir des performances supérieures, une efficacité accrue et une taille et un poids réduits par rapport aux solutions conventionnelles à base de silicium, l'objectif de Worksport est d'intégrer le GaN dans les futures versions de ses systèmes de générateurs de batteries mobiles COR, à travers divers partenariats, dont un annoncé au début Février avec le fabricant de semi-conducteurs GaN Infineon Technologies AG de Munich, Allemagne.

Par rapport au silicium, les commutateurs de puissance à base de GaN présentent des capacités globales inférieures, d'autant plus qu'ils ne disposent pas de diode à corps anti-parallèle. Les commutateurs GaN permettent donc des vitesses de commutation plus rapides et des pertes de puissance réduites. Le GaN peut également résister à des températures plus élevées que le silicium. L’utilisation de GaN peut donc améliorer l’efficacité, la gestion thermique et les performances. De plus, étant donné que le GaN possède une large bande interdite, les dispositifs peuvent supporter des tensions beaucoup plus élevées que les dispositifs à base de silicium tout en utilisant des boîtiers plus petits. Cela peut donner lieu à des convertisseurs de puissance avec une densité de puissance beaucoup plus élevée que celle que l'on trouve généralement dans les commutateurs à base de silicium.

Worksport estime qu'en tirant parti de la technologie GaN, ses futurs produits seront en mesure d'offrir des performances inégalées tout en consommant moins d'énergie, ce qui se traduira par une durée de vie plus longue de la batterie grâce à des convertisseurs de puissance à plus haut rendement. De plus, en raison du rendement plus élevé du GaN, les convertisseurs de puissance basés sur GaN rayonnent moins de chaleur et ont des besoins de refroidissement inférieurs ainsi qu'un besoin réduit en ventilateurs de refroidissement, ce qui amène l'entreprise à croire qu'elle pourrait produire une taille plus compacte pour son électronique de puissance. De plus, Worksport estime qu'en utilisant GaN, il sera en mesure de créer des appareils plus fiables et plus durables tout en réduisant le risque de surchauffe et de dégradation des performances.

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Mots clés: Infineon HEMT GaN

Visite: www.worksport.com

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• La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/worksport-140324.shtml