Actualités : Microelectronics

8 Février 2024

Transphorm Inc de Goleta, près de Santa Barbara, Californie, États-Unis, déclare qu'elle présente ses solutions de conversion de puissance au nitrure de gallium (GaN) à large spectre (de faible à haute puissance) sur le stand 1813 à l'Applied Power Electronics Conference (APEC 2024) à Long Beach. , CA, USA (25-29 février), dont elle est Silver Partner.

Cette année, Transphorm met en avant ses innovations, notamment ce qu'elle prétend être le premier modèle de dispositif GaN sur saphir de 1200 247 V et une robustesse de pointe contre les courts-circuits. Son portefeuille polyvalent de dispositifs SuperGaN est également mis en valeur, y compris des packages récemment annoncés tels que le TO-4-2L, TOLL et TOLT qui complètent une sélection d'emballages flexibles pour les systèmes de plus grande puissance nécessitant différentes configurations de dissipateur thermique. Enfin, des démonstrations sur site présentent la technologie de l'entreprise dans une grande variété de systèmes électriques, depuis les alimentations électriques ininterrompues et bidirectionnelles hautes performances jusqu'aux micro-onduleurs à énergie solaire perturbateurs, en passant par les systèmes de véhicules électriques à 3 et XNUMX roues.

Transphorm affirme que la capacité de ses solutions GaN à surpasser les options concurrentes (c'est-à-dire GaN en mode amélioration, SiC, silicium) provient de la plate-forme SuperGaN à l'épreuve du temps. L’entreprise fabrique une technologie GaN en mode d’épuisement normalement désactivée en cascode. On dit que cette configuration de conception permet aux phénomènes inhérents à la plate-forme d’exploiter leur plus grand potentiel. Ces phénomènes incluent le canal du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN à gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) et le canal SiO2Interface de porte /Si (créée par le MOSFET basse tension associé au GaN HEMT de Transphorm). Le livre blanc récemment publié par la société décrivant ces avantages peut être téléchargé à partir de https://bit.ly/dmodeadvwp.

Transphorm prétend prendre en charge la plus large gamme d'exigences de conversion de puissance (45 W à 10+kW) sur la plus large gamme d'applications de puissance. Son portefeuille FET comprend des appareils 650 V et 900 V avec un ou plusieurs appareils 1200 101 V en développement. Ces appareils sont qualifiés JEDEC et AEC-QXNUMX, ce qui en fait des solutions optimales pour les adaptateurs d'alimentation et les blocs d'alimentation d'ordinateurs jusqu'aux onduleurs industriels et aux systèmes de mobilité pour véhicules électriques, estime la société. La diversité des produits clients présentés à l'APEC souligne la large convivialité de sa plate-forme SuperGaN, ajoute-t-il.

À l'APEC, Transphorm donne les présentations suivantes :

• 26 février — Séminaire de Formation Professionnelle (S17) à 8h30 : 'Dispositifs et applications GaN haute puissance' par Davide Bisi, membre du personnel technique, Bureau du CTO ; Philip Zuk, vice-président principal du développement commercial et du marketing ; et Tushar Dhayagude, vice-président des ventes mondiales et FAE ;
• 27 février — Séminaire Exposants à 2h15 : 'La différence SuperGaN : avantages des semi-conducteurs de puissance GaN en mode d normalement désactivés" par Jenny Cortez, responsable technico-commerciale ;
• 28 février — Session Industrie (IS16.2) à 1h55 : 'Technologie de commutation GaN à quatre quadrants pour micro-onduleurs et entraînements moteurs" par Geetak Gupta, membre du personnel technique, Bureau du CTO ;
• 29 février — Session Industrie (IS22.6) à 10h55 : 'Dispositif GaN 15 mΩ avec temps de tenue aux courts-circuits de 5 μs' par Davide Bisi PhD, membre du personnel technique, Bureau du CTO.

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Mots clés: Transphorm GaN-sur-Si HEMT GaN

Visite: www.apec-conf.org

Visite: www.transphormusa.com

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• La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/transphorm-080224.shtml