Actualités : Microelectronics
1 Mars 2024
La société japonaise ROHM Semiconductor affirme que son dispositif GaN 650 V (EcoGaN) a été adopté dans le C4 Duo, un chargeur USB-C de sortie 45 W d'Innergie, une marque du fabricant taïwanais d'alimentations Delta Electronics Inc.
ROHM a commencé la production en série de GaN HEMT résistant à 150 V en 2022 et de GaN HEMT résistant à 650 V en 2023 avec ce qu'il prétend être des performances de dispositif de pointe (R DS (ON) xCiss/RDS (ON) xCCentre). Plus récemment, l'intégration d'un élément de protection ESD dans le GNP1150TCA-Z améliore la tolérance aux pannes ESD d'environ 75 % par rapport aux HEMT GaN standard, et a été évaluée pour améliorer la fiabilité des applications, conduisant finalement à son adoption.
"Le développement de dispositifs de puissance GaN est un objectif majeur de l'industrie électronique mondiale, c'est pourquoi nous avons approfondi notre collaboration avec ROHM au cours des dernières années", note Jason Chen, directeur général d'Innergie. « De plus, en 2022, nous avons initié un partenariat stratégique pour développer conjointement des semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération pour les systèmes d'alimentation électrique. Ce partenariat a permis de fournir les dispositifs avancés GaN 650 V (GNP1150TCA-Z) de ROHM, qui prennent désormais en charge les nouveaux produits d'Innergie », ajoute-t-il. « Le C4 Duo est le premier modèle d'adaptateurs One for All Series d'Innergie à utiliser les dispositifs GaN de ROHM, et nous nous attendons à ce que davantage de modèles adoptent cette technologie de pointe… En renforçant notre collaboration avec ROHM, nous pourrons fournir aux clients des adaptateurs offrant une efficacité énergétique et des capacités supérieures, mais avec une taille de produit beaucoup plus petite.
ROHM commence la production de masse de HEMT GaN 650V
ROHM et Delta s'associent pour développer et produire en série des dispositifs GaN
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- La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/rohm-010324.shtml
