Actualités : Microelectronics
28 Février 2024
Infineon Technologies AG de Munich, en Allemagne, a lancé le MOSFET CoolSiC discret G750 1 V pour répondre à la demande croissante d'un rendement et d'une densité de puissance plus élevés dans les applications d'alimentation industrielles et automobiles.
La famille de produits comprend des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de qualité industrielle et automobile optimisés pour les totems PFC, type T, LLC/CLLC, double pont actif (DAB), HERIC, Buck/Boost et phase. -Topologies à pont complet décalé (PSFB). Les MOSFET conviennent à une utilisation dans les applications industrielles typiques, telles que la recharge de véhicules électriques (VE), les entraînements industriels, les systèmes solaires et de stockage d'énergie, les disjoncteurs à semi-conducteurs, les systèmes UPS, les serveurs/centres de données, les télécommunications et le secteur automobile. , tels que les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs DC-DC.
Photo : le nouveau MOSFET CoolSiC discret G750 1 V d'Infineon.
La technologie CoolSiC MOSFET 750V G1 présente ce qui est considéré comme un excellent RDS (activé) xQfr et R supérieurDS (activé) xQCentre figures de mérite (FOM), ce qui se traduit par une efficacité ultra élevée dans les topologies de commutation dure et de commutation logicielle, respectivement. Sa combinaison unique de tension de seuil élevée (VGS (th), typique de 4.3 V) avec un faible QGD/QGS Le rapport garantit une grande robustesse contre les activations parasites et permet un pilotage de grille unipolaire, conduisant à une densité de puissance accrue et à un faible coût des systèmes. Tous les appareils utilisent la technologie de fixation de puce exclusive d'Infineon qui offre ce qui est considéré comme une impédance thermique exceptionnelle pour des tailles de puce équivalentes. La conception hautement fiable de l'oxyde de grille, combinée aux normes de qualification d'Infineon, offre des performances robustes et à long terme.
Avec une gamme granulaire allant de 8 mΩ à 140 mΩ RDS (activé) à 25°C, la nouvelle famille de produits CoolSiC MOSFET 750V G1 répond à un large éventail de besoins. Sa conception garantirait des pertes de conduction et de commutation plus faibles, augmentant ainsi l’efficacité globale du système. Ses boîtiers minimisent la résistance thermique, facilitent une meilleure dissipation thermique et optimisent l'inductance de la boucle de puissance en circuit, ce qui se traduit par une densité de puissance élevée et une réduction des coûts du système. La famille de produits comprend le boîtier refroidi par le dessus QDPAK.
Le CoolSiC MOSFET 750V G1 pour les applications automobiles est disponible en boîtiers QDPAK TSC, D2PAK-7L et TO-247-4, tandis que pour les applications industrielles, les boîtiers QDPAK TSC et TO-247-4 sont proposés.
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- La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/infineon-280224.shtml
