Feuille de route d’emballage avancée ; SoC hétérogènes ; intervalles de simulation pour la mémoire cache ; correction d'erreurs au-delà des limites pour la DRAM ; mesure par STEM pixélisée et holographie électronique hors axe ; qubits donneurs dans le silicium ; Assertions de vérification matérielle via multi-LLM ; MTJ à nm unique.
Nouveaux documents techniques ajoutés à Semiconductor Engineering bibliothèque cette semaine.
| Document technique | Organismes de recherche |
|---|---|
| Feuille de route de fabrication pour l’intégration hétérogène et le packaging électronique (MRHIEP) | SEMI ET UCLA |
| HAUT : Vers un environnement ouvert et prévisible SoC hétérogènes | Université de Bologne, ETH Zurich et UC San Diego |
| Améliorer la représentativité des intervalles de simulation pour le Système de mémoire cache | Université Complutense de Madrid, imec et KU Leuven |
| Démêler les codes : correction d'erreurs rapide, robuste et au-delà des limites pour DRAM | Rambus |
| Mesure des propriétés électriques dans les dispositifs semi-conducteurs par STEM pixélisée et holographie électronique hors axe (ou faisceaux convergents vs ondes planes) | CEA-LETI à l'Université Grenoble Alpes et à l'EPFL |
| Couplage de superéchange de qubits donneurs dans silicium | Université de Nouvelle-Galles du Sud |
| AssertLLM : génération et évaluation d'assertions de vérification du matériel à partir des spécifications de conception via Multi-LLM | Université de science et de technologie de Hong Kong |
| Jonctions tunnel magnétiques CoFeB/MgO d'un seul nanomètre à haute rétention et capacités à grande vitesse | Université du Tohoku, Université de Lorraine et Inamori Research Institute for Science |
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- La source: https://semiengineering.com/chip-industry-technical-paper-roundup-feb-13/
