Actualités : Microelectronics
21 Février 2024
La société de technologie de circuits intégrés de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) Navitas Semiconductor Corp de Torrance, Californie, États-Unis, a annoncé que ses circuits intégrés de puissance GaNFast pilotent la « charge ultra-rapide » (SFC) de 25 W de Samsung pour le nouveau système amélioré par l'IA. Smartphone Galaxy S24.
Les spécifications matérielles phares incluent un écran AMOLED 2340X dynamique de 1080 2 x 120 24 (FHD+) et XNUMX Hz, et le Galaxy SXNUMX offre des fonctionnalités d’IA innovantes et pratiques. Des fonctionnalités Galaxy AI telles que Live Translate, Chat Assist et le nouveau « Circle to Search » avec Google.
L'unité GaNFast de 25 W fournit 50 % de charge à la batterie haute capacité de 4000 30 mAh en seulement 3.0 minutes, tandis que la spécification USB PD 2 (Type-C) la rend compatible avec d'autres produits Samsung, notamment le Galaxy Buds5 audio, le Galaxy Z Fold23, le Galaxy Flip et Galaxie AXNUMX.
Conçu dans un souci de durabilité, l'adaptateur secteur 25 W offre une réduction de 75 % de la consommation d'énergie en mode veille. La technologie GaNFast de Navitas est déployée dans une topologie haute fréquence quasi-résonante (HFQR) fonctionnant à 150 kHz – 3 fois plus rapide que les conceptions standard en silicium – et offre un rétrécissement de 30 % par rapport aux conceptions de chargeurs conventionnelles.
"Le déploiement des circuits intégrés GaNFast a permis à Samsung de créer un adaptateur 25 W ultra-compact, léger et efficace qui peut recharger rapidement le nouveau Galaxy S24 et une variété d'autres téléphones et accessoires de la gamme Samsung", note David Carroll, vice-président senior mondial. ventes pour Navitas.
Le chargeur rapide GaNFast 25 W de Navitas adopté pour le téléphone phare de Samsung, le Galaxy S23
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- La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/navitas-210224.shtml
