Actualités : Microelectronics

22 Février 2024

Pour son troisième trimestre fiscal 2024 (jusqu'à fin décembre 2023), Transphorm Inc de Goleta, près de Santa Barbara, Californie, États-Unis, qui conçoit et fabrique des transistors à effet de champ en nitrure de gallium (GaN) qualifiés JEDEC et AEC-Q101 ( FET) pour la conversion de puissance haute tension – a déclaré un chiffre d'affaires de 4 $. 67 millions, en hausse de 3.9 % par rapport à 4.49 millions de dollars il y a un an, mais en baisse de 6.8 % par rapport aux 5 millions de dollars du dernier trimestre.

Le chiffre d'affaires des produits s'est élevé à 3.2 millions de dollars, en baisse de 11 % par rapport au trimestre dernier et de 20 % par rapport à l'année dernière, en raison de la baisse de la demande à court terme. Les recettes publiques s'élevaient à 1.5 million de dollars, soit à peu près le même niveau qu'au dernier trimestre, mais en hausse de 180 % par rapport à l'année dernière.

La marge brute s'est établie à 1.6 %, une amélioration par rapport à – 59.4 % il y a un an, mais en baisse par rapport à 23.4 % au trimestre dernier, impactée par un ajustement de la taxe à la consommation de 250,000 170,000 $ et XNUMX XNUMX $ de ferraille non récurrente.

Sur une base non-GAAP, les dépenses d'exploitation ont encore augmenté, passant de 6.42 millions de dollars au dernier trimestre à 7.35 millions de dollars. Cependant, cette augmentation est largement due aux frais juridiques liés à l'accord définitif annoncé le 10 janvier pour l'acquisition de Transphorm par une filiale de la société japonaise Renesas Electronics Corp pour environ 339 millions de dollars.

La perte nette s'est élevée à 10 millions de dollars (0.20 $ par action), en hausse par rapport aux 7.13 millions de dollars (0.12 $ par action) du trimestre dernier, mais en légère baisse par rapport aux 10.46 millions de dollars (0.18 $ par action) il y a un an.

L'EBITDA ajusté s'est élevé à –6.9 millions de dollars (0.11 $ par action), contre –4.98 millions de dollars (0.08 $ par action) au dernier trimestre, mais une amélioration par rapport à –8.52 millions de dollars (0.15 $ par action) il y a un an.

Au cours du trimestre, la trésorerie, les équivalents de trésorerie et la trésorerie soumise à restrictions sont passées de 6.152 millions de dollars à 7.95 millions de dollars. Cependant, ce n'est qu'après que Transphorm a levé 3 millions de dollars grâce à l'exercice de bons de souscription existants et 2.1 millions de dollars de dette à court terme.

« Même si le chiffre d'affaires de nos produits au troisième trimestre a légèrement diminué sur une base séquentielle, nous avons continué à connaître une forte dynamique dans la construction de notre pipeline de revenus et la sécurisation des conceptions », a déclaré le PDG et co-fondateur Primit Parikh.

Les faits saillants du trimestre sont les suivants :

Segment haute puissance

• Augmentation du nombre total de conceptions pour une puissance plus élevée (300 W à 7.5 kW) à plus de 120 (dont plus de 35 en production), soit une augmentation de 20 % par rapport à la mise à jour précédente de novembre 100.
• Annonce de deux nouveaux dispositifs SuperGaN dans un boîtier TO-4 à 247 broches, un remplacement immédiat des FET SiC et offrant une résistance à l'état passant de 35 mΩ et 50 mΩ et l'avantage de capacités de commutation plus efficaces avec 25 % de pertes d'énergie en moins dans les récents circuits internes. tests, augmentant ainsi les opportunités de pénétration des sockets avec des solutions nouvelles et existantes.
• Annonce d'une collaboration avec le pilote de grille isolée AHV85110 d'Allegro MicroSystem et les FET SuperGaN de Transphorm pour augmenter les performances du système d'alimentation GaN pour les applications haute puissance, en utilisant le dispositif TOLL 650 V/70 mΩ récemment lancé par Transphorm.
• Lancement de trois FET Transphorm dans des boîtiers TOLL de dispositifs à montage en surface (CMS) prenant en charge des applications à plus forte puissance pour les applications d'intelligence artificielle (IA) gourmandes en énergie, l'alimentation des serveurs, l'énergie et les marchés industriels, positionnant GaN comme des dispositifs optimaux pour ces puissances de classe kilowatts. applications gourmandes et prouvant sa fiabilité dynamique haute tension et haute puissance.
• Lancement du SuperGaN TOLT FET, qui est considéré comme le premier dispositif GaN à montage en surface refroidi par le dessus du secteur dans le boîtier TOLT conforme à la norme JEDEC (MO-332), offrant des performances thermiques et électriques supérieures pour l'informatique, l'IA, l'énergie et systèmes d'alimentation automobile.
• Lancement de deux modèles de référence de chargeurs de batterie pour les applications de recharge de véhicules électriques (VE), adaptés aux véhicules électriques à deux et trois roues.
• En bonne voie pour des échantillons techniques de 1200 2024 V d’ici le milieu de l’année civile XNUMX.

Segment basse consommation

• Augmentation du nombre total de conceptions pour les adaptateurs secteur et les chargeurs rapides (<300 W) à plus de 125 (dont plus de 30 en production), soit une augmentation des conceptions en cours de 8 % par rapport à la mise à jour précédente de novembre 115.
• Annonce avec Weltrend Semiconductor Inc d'une conception de référence d'adaptateur secteur USB-C PD de 100 W, utilisant le système en boîtier SuperGaN WT7162RHUG24A de Transphorm pour atteindre une efficacité de 92.7 % dans une topologie flyback quasi-résonante.

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Le chiffre d'affaires trimestriel des produits Transphorm augmente de 18 % de manière séquentielle pour atteindre 3.55 millions de dollars plus élevé que prévu

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Le chiffre d'affaires des produits de Transphorm en année pleine augmente de 21 %

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Mots clés: Transphorm GaN-sur-Si HEMT GaN

Visite: www.transphormusa.com

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• La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/transphorm-220224.shtml