Logotipo de Zephyrnet

Etiqueta: computación en memoria

Optimización del procesamiento de redes neuronales basado en eventos para una arquitectura neuromórfica

imec, TU Delft... publicó un nuevo artículo técnico titulado "Optimización de redes neuronales basadas en eventos en arquitectura neuromórfica digital: una exploración espacial de diseño integral"...

Top News

Financiamiento de inicio: enero de 2024

En enero se celebraron grandes rondas, con tres empresas recaudando más de 100 millones de dólares. La computación cuántica encabezó la lista, y la empresa resultante de la fusión...

Uniones de túneles ferroeléctricos en aceleradores informáticos analógicos en memoria de matriz de barras transversales

Investigadores de la Universidad de Lund publicaron un artículo técnico titulado “Memristores de unión de túnel ferroeléctrico para aceleradores de computación en memoria”. Abstracto: “La computación neuromórfica ha despertado un gran interés...

Financiamiento de inicio: diciembre de 2023

La fotónica y la óptica estuvieron fuertes en diciembre, y los inversores financiaron dos empresas diferentes que utilizan tecnologías fotónicas para desarrollar interconexiones y chips de IA. Otra clave...

El novedoso diseño de memristor elimina impedimentos críticos para futuros chips de IA

04 de enero de 2024 (Nanowerk Spotlight) Los investigadores están buscando memristores (dispositivos de memoria resistiva con propiedades similares a las neuronas) como un medio para desarrollar energía eficiente...

Integración a gran escala de materiales 2D como canal semiconductor en un procesador en memoria (EPFL)

Investigadores de la École Polytechnique Fédérale publicaron un artículo técnico titulado “Un procesador integrado de multiplicación de matrices vectoriales a gran escala basado en memorias de disulfuro de molibdeno monocapa”...

La ruta de conducción asimétrica y la redistribución del potencial determinan la conductividad dependiente de la polarización en ferroeléctricos en capas – Nature Nanotechnology

Wang, S. y col. Dispositivos bidimensionales e integración hacia las líneas de silicio. Nat. Madre. 21, 1225–1239 (2022).Artículo CAS...

Matriz de memoria ferroeléctrica apilada compuesta por transistores de efecto de campo ferroeléctrico de activación lateral

Investigadores de Samsung Electronics publicaron un artículo técnico titulado “Transistor de efecto de campo ferroeléctrico de compuerta lateral (LG-FeFET) que utiliza α-In2Se3 para una matriz informática apilada en memoria”...

Financiamiento de inicio: septiembre de 2023

La E/S de chip a chip y de centro de datos atrajo el interés de los inversores en septiembre, incluido el apoyo a varias nuevas empresas que desarrollan soluciones Compute Express Link (CXL). En otros lugares del...

Transistores de efecto de campo ferroeléctrico de canal bidimensional/AlScN escalables CMOS compatibles con back-end-of-line – Nature Nanotechnology

Migliato Marega, G. et al. Lógica en memoria basada en un semiconductor atómicamente delgado. Nature 587, 72–77 (2020).Artículo CAS Google Scholar Wang, Z. et al....

Rendimiento de la computación analógica en memoria en problemas de imágenes

Investigadores de la Universidad de Lund y...

Un nuevo enfoque de la computación reinventa la inteligencia artificial

IntroducciónA pesar del gran éxito de ChatGPT y otros grandes modelos de lenguaje, las redes neuronales artificiales (ANN) que sustentan estos sistemas podrían estar en...

Información más reciente

punto_img
punto_img